sio2的制备方法有许多种,包括热氧化法、热分解法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、 SG40281B1-000U-G99等离子氧化法等。各种制备方法各有特点,不过,热氧化法是应用最为广泛的,这是由于它不仅具有工艺简单、操作方便、氧化膜质量最佳、膜的稳定性和可靠性好等优点,还能降低表面悬挂键,从而使表面态势密度减小,很好地控制界面陷阱和固定电荷。

   1.三种热氧化法

   硅的热氧化是指在1000℃以上的高温下,与含氧物质(如氧气、水汽)反应生成sio2的过程。热氧化法包括干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化三种方法。

   (1)干氧氧化。干氧氧化是在高温下,氧分子与硅直接反应生成S⒑2的过程,反应式如下:

   Si+02ˉ÷sio2

   干氧生长的氧化膜表面干燥,结构致密,光刻时与光刻胶接触良好,不易产生浮胶,但氧化速率极慢。

   (2)水汽氧化。水汽氧化是指在高温下,硅与高纯水蒸气反应生成S⒑2膜的过程,反应式如下:

   si+2H02→Sio2+2H2