多层金属化产生了数量很多的接触孔,这些接触孔要使用金属填充塞来填充, EL5423CR以便在两层金属之间形成连接通路。接触填充薄膜被用于连接硅衬底中器件和第一层金属化。目前被用于填充的最普通的金属是钨,因此填充薄膜常常被称为钨填充薄膜。钨具有均匀填充高深宽比通孔的能力,因此被选为传统的填充材料。溅射的铝不能填充具有高深宽的通孔。基于这个原因,铝被用做互连材料,钨被限于做填充材料。通常CVD W的第一步是沉积△N/Ti阻挡层,在TN被沉积之前沉积△,以使它和下层材料反应,降低接触电阻。△和硅反应形成πSi2。△s砬作为钨的阻挡层金属和附着加固剂,它需要一个最小约50A的底层厚度,具有连续的侧墙覆盖以形成一个有效的阻挡层金属并且避免钨侵蚀下层材料。

   cVD W工艺完成以后,在介质层上的垫膜钨必须消除。线宽较大的工艺中,垫膜钨的消除是由钨反刻并留下经平坦化后的填充薄膜来实现的。在0.25um或更小的器件中,由化学机械平坦化(CMP)完成的钨平坦化是首选的过程。阻挡层金属比如△N和△被用于防止钨和硅之间的扩散。垫膜钨的工艺过程如图2。⒛所示。