利用多晶硅替代金属铝作为MOs器件的栅极是MOs集成电路技术的重大突破, AD7892BN-2它比利用金属铝作为栅极的MOs器件性能上得到了很大提高,而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入,使MOS集成电路的集成度得到很大提高。多晶硅是在ω0~60℃的低压反应炉中用硅烷热分解制作而成的.

   在低温下通过硅烷热分解法很容易沉积未掺杂和掺杂的S⒑2薄膜,而对以TEOs为源沉积的sio薄膜进行掺杂则有些困难。

   磷硅玻璃

   在沉积s⒑2的气体中同时掺入PH3,就可形成磷硅玻璃(PsG)。由于PsG中 包含P205和s⒑2,所以它是一种二元玻璃网络体,并且它的性质与非掺杂S⒑2(UsG)有很大的不同。APCVD PsG与未掺杂CVD s⒑2相比,有较小的应力,阶梯覆盖也有所改善(尽管仍然很差)。虽然PsG对水汽的阻挡能力强,但它可以吸收碱性离子。PsG在高温下可以流动,从而可以形成更为平坦的表面,使随后沉积的薄膜有更好的台阶覆盖。PsG高温平坦化工艺的温度控制范围在1000~1100℃之间,压力控制范围在1.01325×1~2.533125×1JPa,在o2、N2等气体环境中进行。此时PsG玻璃软化,可使尖角变得圆滑。表面坡角减小的程度能够反映PsG流动的程度,流动的程度还依赖于温度及磷的浓度。