工艺过程周期
发布时间:2016/6/17 21:35:24 访问次数:484
晶圆在生产中实际处理的时间可以用天来计算。但是由于在各工艺过程的排队等候和工艺问题引起的临时性减慢,晶圆通常会在生产区域停留几个星期。 H12WD4890PG晶圆等待的时间越长,受到污染而导致电测成品率降低的可能性就越大。向即时生产方式的转变是一种提高成品率及降低由生产线存量增加带来的相关成本的尝试。
晶圆电测成品率公式
指数关系或Poisson是最简单也是最早被研究出来的成品率模型之一。它适用于单项工艺步骤,并且假设在晶圆上缺陷(D0)是随机分布的。对于多步骤分析,该因子(刀)等于使用的工艺步骤数。该模型一般用于包含多于3OO个芯片的晶圆,并且是低密度的中规模集成电路。用Secd模型预测更小的芯片尺寸。指数模型、Poisson模型和secd模型都阐明芯片面积、缺陷密度和晶圆电测试成品率之间的主要关系。
成品率除了与电路敏感区域内的缺陷有关以外,随机分布的点缺陷是造成芯片失效的另一个原因。
晶圆在生产中实际处理的时间可以用天来计算。但是由于在各工艺过程的排队等候和工艺问题引起的临时性减慢,晶圆通常会在生产区域停留几个星期。 H12WD4890PG晶圆等待的时间越长,受到污染而导致电测成品率降低的可能性就越大。向即时生产方式的转变是一种提高成品率及降低由生产线存量增加带来的相关成本的尝试。
晶圆电测成品率公式
指数关系或Poisson是最简单也是最早被研究出来的成品率模型之一。它适用于单项工艺步骤,并且假设在晶圆上缺陷(D0)是随机分布的。对于多步骤分析,该因子(刀)等于使用的工艺步骤数。该模型一般用于包含多于3OO个芯片的晶圆,并且是低密度的中规模集成电路。用Secd模型预测更小的芯片尺寸。指数模型、Poisson模型和secd模型都阐明芯片面积、缺陷密度和晶圆电测试成品率之间的主要关系。
成品率除了与电路敏感区域内的缺陷有关以外,随机分布的点缺陷是造成芯片失效的另一个原因。
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