单晶硅表面上总是覆盖着一层So2,即使是刚刚解理的单晶硅,在室温下,只S606N-1000要在空气中一暴露就会在表面上形成几个原子层的氧化膜。当把硅晶片暴露在高温且含氧的环境里一段时间后,硅晶片的表面会生长一层与硅附着性良好且具有高度稳定的化学性和电缘性的⒏o2。正因为sio2具有这样好的性质,它在半导体工业

中的应用非常广泛。根据不同的需要,so2被用于器件的栅介质层、绝缘层和钝化层,以及电性能的隔离等。除了可以用硅晶片加热的方法来制备so2外,还可以用各种化学气相沉积(Chemical砀por Dcp∝itic,n,CVD)来获得,如APCVD(常压CVD,Atmosphcr妃Press刂c CVD)、LPCVD(低压CVD,Low Presstlrc CVD)及PECⅤD(等离子增强CVD,Plasma Enhanced CVD)等。s⒑2VLsI/ULSI中的应用如表2.1所示。