电阻率:可高达1015~1016Ω・cm;sio禁带宽度相当宽,约0.%V,因此是比较理想的绝缘体。

   介电强度和介电常数:物质的SFB0212HH-F00介电强度与薄膜结构的致密性、均匀性以及杂质总量均有直接关系。S⒑2的薄膜介电强度可达1J~Io7v/cm,可以承受较高的电压,适宜做器件的绝缘膜。s⒑2的介电系数则为3.9左右。薄膜密度:S⒑2密度与制备方法有关,一般在2.0~2.3g/cm3之间。折射率通常为1.45左右,密度高折射率稍大。

   化学稳定性:⒐oo的化学稳定性较高,它不溶于水和氢氟酸以外的酸。被氢氟酸腐蚀的化学方程式如下:

   sio2+4HF=SiF4+2H20

   siF4+2HF=H2SiF6

   H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的络合物,利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀s⒑2。为了获得稳定的腐蚀速率,腐蚀so2的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成。

  在生产中利用S⒑2与氢氟酸反应的性质,完成对S02腐蚀的目的。so2腐蚀速率的快慢与氢氟酸的浓度、温度、S⒑2的质量以及所含杂质的数量等情况有关。不同方法制备的S⒑2,其腐蚀速率可能相差很大。不同方法制各的s⒑2,其物理特性有所不同,如表2,2所示。