前工序包括:(1)薄膜制各工艺,包括氧化、外延、化学气相沉积、蒸发、溅射;(2)掺杂工艺,S606C-50包括离子注入和扩散;(3)图形加工技术,包括制版和光刻。

   后工序包括:中间测试、划片、贴片、焊接、封装和成品测试。

辅助工序包括:(1)超净环境的制备:(2)高纯水、气的制备;(3)材料准备,包括制备单晶、切片、磨片、抛光等工序,制成IC生产所需要的单晶圆片。氧化工艺是指生成so2薄膜的工艺。掺杂工艺是指在半导体基片的一定区域掺入一定浓度的杂质元素,形成不同类型的半导体层,来制作各种器件,包括扩散工艺和离子注入工艺两种掺杂方法。光刻工艺是指借助于掩膜版,并利用光敏的光刻胶涂层发生光化学反应,结合刻蚀方法在各种薄膜上(如S⒑2薄膜、多晶硅薄膜和各种金属膜)刻蚀出各种所需要的图形,实现掩膜版图形到硅片表面各种薄膜上图形的转移。硅片从起始到完成的过程如图2.3所示。