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封装材料α射线引起的软误差2016/6/22 21:13:04
2016/6/22 21:13:04
铀或钍等放射性元素是D1FL/L2集成电路封装材料中天然存在的杂质,这些材料发射的α粒子可使集成电路发生软误差。产生机理当α粒子进入硅中时,在粒子经过的路径上产生电子...[全文]
互连和机械应力2016/6/21 23:04:44
2016/6/21 23:04:44
互连和机械应力。在后端BEOL工艺中,金属化工艺对NBTI效应有着明显的影响。Sony和F哟itsu公司的联合OF280SD50D研究结果表明,Cu互连中采用的大马士革工艺加剧了NBTI效应。C...[全文]
NBTl陷阱产生模型2016/6/21 22:18:39
2016/6/21 22:18:39
>生陷阱;OES4805第2个模型描述了通过化学物质的相互作用和扩散形成更普遍的陷阱。氢模型。氢界面陷阱,可以表示为其中,HO是一个中性的间隙氢原子。第一性原理计算表明带正电荷的氢...[全文]
多层结构2016/6/21 22:09:00
2016/6/21 22:09:00
多层结构。采用以OMI-SS-112LM金为基材的多层金属化层,如Pt2S圮-△~PtAu层,其中Pt2s圮与硅能形成良好的欧姆接触。钛是黏附层,铂是过渡层,金做导电层。对于微波...[全文]
两种模型的对比分析2016/6/20 21:18:46
2016/6/20 21:18:46
两种模型的对比分析。阳极空HB48-0.5-A穴注入(AHI,AnodeHo⒗习cction)模型,即1/E模型,该模型认为击穿时间与氧化层电场的倒数有关,应力条件下,栅电流通常是FN电流,FN...[全文]
热载流子效应的影响因素2016/6/20 21:02:49
2016/6/20 21:02:49
首先考虑温度因素,大多数可靠性试验证明,环境温度越高,器件退化越严重。HB12-1.7-A而热载流子注入效应的情况则相反,温度越低,热载流子注入效应越明显。这是因为低温下,si原子的振动变弱,衬...[全文]
漏极电压 定时栅压与衬底电流的关系2016/6/19 19:13:18
2016/6/19 19:13:18
对于深亚微米CMOs工艺器件,当漏极ESD5Z5.0T1G电压一定时,电压(/cs)变化的情况如图5,3所示。由图可知,当吒s为/Ds一半附近,气b达最大值。这是因为此时漏极附近形...[全文]
通孔腐蚀2016/6/19 18:22:03
2016/6/19 18:22:03
金属层2沉积siN作为刻蚀阻挡层。涂覆低EP2AGX45DF25C5N佬介质。沉积SiO2,作为刻蚀的终点层。二次涂覆低庀介质,再沉积s⒑2。随后进行通孔1的光刻,接着腐蚀二氧化硅...[全文]
N、P阱的形成2016/6/18 20:46:55
2016/6/18 20:46:55
器件的有源区形成后,接下来就OP220GS-REEL是N阱和P阱的制作。在圆片表面涂覆光刻胶,采用2#光刻版曝光显影后,N阱区域的光刻胶被去掉。接着进行离子注入,如图4.5所示。首先高能大剂量离...[全文]
有机物沾污主要是指含碳物质2016/6/18 20:25:48
2016/6/18 20:25:48
有机物沾污主要是指含碳物质。有机物沾污的一些来源包括细菌、蒸气、清洁剂、溶剂及潮气等。OP213FSZ-REEL7在特定的工艺条件下,微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性。当硅...[全文]
缺陷的径向分布2016/6/17 21:40:40
2016/6/17 21:40:40
上述所言均假定缺陷密度是不均匀的,是指整片硅片内以及与各片硅片之间均有变化。H-183-4-N一些研究者详尽地研究了缺陷密度因特定工艺而变化的原因,他们发现某种类型的缺陷显示出其出现的频率与径向...[全文]
氧化工艺的分步骤2016/6/17 21:16:53
2016/6/17 21:16:53
工艺步骤的增加同时提高了另外4个成品率制约因素对工艺中晶圆产生影响的可能性。H12WD48125例如,要想在一个50步的工艺流程上获得75%的累积成品率,每单步的成品率必须达到99.4%。如果一...[全文]
累积晶圆生产成晶率 2016/6/17 21:08:14
2016/6/17 21:08:14
在晶圆完成所有的生产工艺后,第一个主要成品率被计算出来了。对此成H12D4825品率有多种不同的叫法,如Fab成品率(FabⅥeld)、生产线成品率、累积晶圆厂成品率或累计成品率。...[全文]
颗粒污染物 2016/6/15 21:01:33
2016/6/15 21:01:33
颗粒污染物包括空气中所含的颗粒、人员产生的颗粒、设各和工艺操作过程中使用的化学品产生的颗粒等。在任何晶圆上,都存在大量的颗粒。CY27H010-45WC有些颗粒位于器件不太敏感的区域,不会造成器...[全文]
过高的退火温度会使主要的扩散元素si扩散加剧而造成漏电甚至短路的问题2016/6/14 21:08:10
2016/6/14 21:08:10
对于钛硅化物而言,最大的挑战在于△s砬的线宽效应,即△s砬电阻会随着线宽或接触面积的减小而增加。EL5411IRZ原因是当线宽变得过窄时,从C49相到C54相的相变过程会由原先的二维模式转变成一...[全文]
选择合适的两次退火的温度和时间等2016/6/14 21:03:57
2016/6/14 21:03:57
制造工艺使用LPCVD法或溅射法来沉积Wsi2。它是覆盖在Poly的上面,而形成Poly化金属的结构。EL5378IUZ然后经光刻和Poly化金属的刻蚀后,形成了整个MOS的结构。LPCVD冈刂...[全文]
Al膜的电迁移2016/6/14 20:57:28
2016/6/14 20:57:28
电迁移现象是一种在大电流密度作用下的质量输运现象。质量输运是沿电子流方向进行的,EL5373IUZ结果在一个方向形成空洞,而在另一方向则由于Al原子的堆积而形成小丘,前者会使连线开路,后者会使光...[全文]
阻挡层金属 2016/6/14 20:48:11
2016/6/14 20:48:11
为了消除诸如浅结材料扩散或结尖刺问题,常采用阻挡层金属化方法。阻挡金EL5371IU属层是沉积金属或金属塞,其作用是阻止金属层上下的材料互相混合。对于0.35um工艺水平的器件,其阻挡层金属厚度...[全文]
台阶覆盖2016/6/13 21:56:17
2016/6/13 21:56:17
台阶覆盖在金属化工艺中是一个很重要的参数,进入1.0um以下的工艺显得十分明显。HCNR201-000E如果台阶覆盖不好,将直接导致接触不好而使器件失效。一般来说,孔的形貌是影响台阶覆盖最主要的...[全文]
金属化工艺 2016/6/13 21:41:49
2016/6/13 21:41:49
集成电路中的金属化用于连接电路中的各元器件以形成一个具有一定功能的电路。HAT3004RJ金属互连线与元器件的接触必须满足电路的要求,或是欧姆接触(这是大多数情况),或是整流接触(如肖特基器件)...[全文]
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