NBTI效应产生界面陷阱的讨论:第1个模型讨论通过氢键相互作用动力学产生陷阱; OES4805第2个模型描述了通过化学物质的相互作用和扩散形成更普遍的陷阱。

   氢模型。氢界面陷阱,可以表示为其中,HO是一个中性的间隙氢原子。第一性原理计算表明带正电荷的氢原子或质子H+在界面是唯一稳定的氢充电状态,H+直接和SiH反应形成界面陷阱,该模型采用的事实是合成的SiH(钝化的悬挂的化学物质)被极化以致更多的正电荷在si原子附近停留和更多的负电荷在氢原子附近停留。H+移向SiH分子的负电荷偶极区。然后H+和Hˉ反应形成H2,留下一个正电荷的si悬挂键(或者缺陷中心)。在这个模型中,H2最后可以作为催化剂再次分解来破坏另外的sⅢ键。

   这个过程理论上可以持续进行,直到氢被反应完。有一个不同的模型有时被用来解释NBTI诱发陷阱的形成,认为在sⅡ的“热空穴”、附近的空穴或者⒏/S⒑2界面的相互作用。