- 激光加工技术用于提高GaN基LED的光提取效率的工作2016/8/7 17:43:52 2016/8/7 17:43:52
- 激光加工技术用于提高GaN基LED的光提取效率的工作,主要集中在垂直结构上用KrF激光粗化n~GaN、通过激光打孔技术使倒装结构芯片上的蓝宝石背面粗化、EP1C12Q240C6N用激光微加工技术...[全文]
- 蓝绿光LED高光r提取技术2016/8/6 16:27:07 2016/8/6 16:27:07
- LED的外量子效率等于内量子效率与光提取效率的乘积[1]。目前己有报道,蓝宝石K4X56163PI-FGC3衬底GaN基LED的内量子效率已经达到80%,甚至更高,但是其外量子效率...[全文]
- 深隔离槽结构设计2016/8/6 15:56:29 2016/8/6 15:56:29
- 首先,℃P刻蚀的深槽是为了绝缘,即高压LED深槽刻蚀的作用是将外延层中的n型层隔开,K4M56163PI-BG75512m形成多个相互隔离的小发光单元。即ICP刻蚀的深度需到达蓝宝石(sapph...[全文]
- 正装结构GaN基LED2016/8/6 15:12:13 2016/8/6 15:12:13
- 正装结构GaN基LED,p-GaN层为出光面,由于该层较薄,不利于制作表面微结构。K1292但是对于垂直结构LED,n-GaN层为出光面,该层具有一定的厚度,便于制作表面微结构,以提高光提取效率...[全文]
- 倒装芯片的优势2016/8/5 20:38:24 2016/8/5 20:38:24
- 与传统的正装芯片相比,倒装芯片具备发光效率高、散热好,可大电流密度使用、JDH2S02SC稳定性好、抗ESD能力强、免焊线等优势P钊。倒装LED芯片的发光效率提升LE...[全文]
- 测试机在测试的同时2016/8/4 22:33:05 2016/8/4 22:33:05
- 测试机在测试的同时,一方面将测试数据保存在数据库中,另一方面通过分析软件统计出芯粒各个参数的合格率和综合的合格率,还能分析得出各项参数的平均值、MLV-L30D标准差(sTD),还需通过软件得到...[全文]
- 沉积工艺2016/8/4 20:41:06 2016/8/4 20:41:06
- LED芯片制造中用到的沉积工艺主要是PECVD沉积氧化硅、氮化硅、MC33941EGR2氮氧硅等用于钝化层(PassivationLayer)或者电流阻挡层(CuⅡentBlockingLayc...[全文]
- 共振腔LED结构及设计 2016/8/3 21:15:54 2016/8/3 21:15:54
- 共振腔LED(RcsonantCN”ⅡghtEmittingDiode)简称RCLED,是指发光有源区位于光学谐振腔内的发光二极管结构。JST10N60F图3-19是由Schube⒒等最初提出的...[全文]
- 限制层材料的外延2016/8/2 19:46:30 2016/8/2 19:46:30
- 对于LED限制层材料的要求包括两个方面:首先,相对于有源层,限制层要能够产生足够的带阶差,AAT2845AIML-EE-T1将载流子限制在有限厚度的有源区内,从而提高辐射复合效率;其次,限制层材...[全文]
- V/III比除了影响材料的晶体质量外2016/8/2 19:33:44 2016/8/2 19:33:44
- V/III比又称输入V/III比,是指通入反应室的V族源和Ⅲ族源的摩尔比。以GaAs层的外延为例,设TMGa的流量为20sccm,源瓶内的压力为1200mbar,源瓶所在水浴温度为5℃,AsH3...[全文]
- 极化电场对量子阱能带的影0向 2016/8/1 20:53:57 2016/8/1 20:53:57
- 由于纤锌矿结构的Ⅲ族氮化物缺乏空间反演对称性,以及Ⅲ族金属原子和氮原子的电负性差异巨大,使得材料中的电荷分布不对称,从而呈现出很大的自发极化电场。L4973D5.1除了自发极化外,当材料...[全文]
- 量子阱能带结构 2016/8/1 20:42:59 2016/8/1 20:42:59
- 在氮化物材料体系中,不同组分材料的能带结构有很大差异,其功函数、禁带宽L24C02度都有较大变化,不同材料相互接触构成异质结。由于材料的能带结构不同,异质结能带结构和同质结能带结构相比具有很大差...[全文]
- pn结电荷、电场及电势分布2016/7/31 16:51:24 2016/7/31 16:51:24
- 根据以上内容可知:由n区到p区电子势能逐渐升高,其中载流子分布遵循玻尔兹曼分布,AH1883因此由n区到p区自由电子浓度迅速降低,由p区到n区空穴浓度迅速降低,所以空间电荷区大部分...[全文]
- pn结的能带结构2016/7/31 16:43:27 2016/7/31 16:43:27
- 常见氮化物材料的禁带宽度分布范围较大,从禁带AF90N03D宽度为0.7cV的InN材料到禁带宽度为3.4eV的GaN材料,再到禁带宽度为6,2cV的AlN材料,其对应光谱包含了红外、可见光和深...[全文]
- 氮化物材料中的极化电场 2016/7/31 16:32:55 2016/7/31 16:32:55
- 1880年,居里兄弟首先在石英晶体中发现了压电效应。对于不存在对称中心的晶体,AE1507加在晶体上的外力除了使晶体发生形变外,还将改变晶体的极化状态,在晶体内部形成压电电场,这种由机械力的作用...[全文]
- 氮化物材料的基本性质2016/7/31 16:25:33 2016/7/31 16:25:33
- Ⅲ族氮化物是第三代半导体材料的典型代表,包括氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)以及它们的三元和四元合金,又被称为GaN基半导体材料。Ⅲ族氮化物主要有3种晶体结构(...[全文]
- 光致发光测试技术 2016/7/29 21:51:37 2016/7/29 21:51:37
- 20世纪ω年代,激光的普遍应用使得光谱成为材料特性表征中一项非常有用的工具,尤其在单色光谱、BAT721S连续光谱以及脉冲光谱等大功率光源的应用,为有些原本无法进行光谱分析的问题提供了有效的解决...[全文]
- 多量子阱的高分辨X射线衍射2016/7/29 21:50:23 2016/7/29 21:50:23
- 超晶格(或多量子阱)结构是在沿垂直于衬底表面上外延生长的周期性结构。一个周BAT54SW期的超晶格结构由阱和垒两层组成的,分别以a、b表示。例如,阱和垒都有自己的厚度鬼和丸,应变(与组分有关)为...[全文]
- 衬底 2016/7/29 21:29:40 2016/7/29 21:29:40
- 衬底又称为支撑衬底,是外延层生长的基板,在LED的制备过程中起着支撑和固定的作用。BAS40-05-7-F最理想的衬底是外延层的同质材料衬底,其次是晶格匹配性能相近的衬底材料。对G...[全文]
- 金属有机化合物源(Mo源) 2016/7/28 22:23:45 2016/7/28 22:23:45
- 金属有机化合物源,简称Mo源,亦称前A915AY-100M体或前驱体(precursOr)。GaN系列材料生长所常用到的Mo源主要有TMGa、TEGa、TMAl、TMIn、Cp2Mg、DMzn和...[全文]
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