激光加工技术用于提高GaN基LED的光提取效率的工作,主要集中在垂直结构上用KrF激光粗化n~GaN、通过激光打孔技术使倒装结构芯片上的蓝宝石背面粗化、EP1C12Q240C6N用激光微加工技术制作LED芯片的几何形状等。研究者们系统地研究了隐形切割对GaN基LED光电参数的影响。隐形切割对蓝宝石衬底GaN基LED光性能的提升与使用激光的频率有关系。Jac~Hoon Lcc等人[1剔用飞秒激光(1飞秒=l fl15秒)聚焦在蓝宝石衬底的内部,并分离蓝宝石得到分离LED器件,用飞秒激光的样品在201nA下光功率比用纳秒激光的高11%,提高的原因归于减少了蓝宝石的碎屑和热损伤。比较图5-9和图5-10发现,飞秒激光切割比纳秒激光切割明显减少了蓝宝石的碎屑和损伤。因为飞秒激光超短的脉冲宽度使得其能在短时间内具有很高的激光能量密度,因此飞秒激光切割具有高速作业的优点。