互连和机械应力。在后端BEOL工艺中,金属化工艺对NBTI效应有着明显的影响。Sony和F哟itsu公司的联合OF280SD50D研究结果表明,Cu互连中采用的大马士革工艺加剧了NBTI效应。Cu互连对NBTI效应的损伤归因于Cu金属化中氢密度的增加,特别是金属阻挡层中氢密度的增加。与△N/Ti相比,使用TaN作为阻挡层明显地改善了NBTI效应。与早先的研究结果相比,Cu金属和Al金属的天线结构有相似的NBTI敏感度,结果的差异可能是由于两种制造设施的BEOL工艺中水或氢的含量不同造成的。

    NBTI和BEOL工艺相关的另外一个重要领域就是金属间介质层(IMD,Inter1nctal Dielec廿ic)。低佬材料可以在绝缘层中引进一定浓度的水和氢,涉及的材料包括玻璃和等离子增强的化学气相沉积介质等。如前面所讨论的,NBTI对H20非常敏感,它可以穿透PMOs器件的有源区。如果氢和水存在,随着晶格退火释放或扩散进入至PMOs器件的有源区,这些低佬介质材料可以引起明显的NBTI退化。氮化可以减小这些问题的影响,但是H/H20仍有可能通过通孔穿透有源区,必须小心地减小IMD中高浓度的H/H20。

   在BEOL工艺中最终影响器件NBTI性能的是器件天线比和可能的等离子体损伤。尽管形成气体退火可以用来减小未施加应力器件的损伤,当施加应力条件后,等离子体损伤器件对NBTI退化变得更加敏感。栅保护的结构和没有天线连接的器件相比,具有更大的加速漂移。