为了减小NBTI效应,必须降低⒏/s⒑2界面处的初始电激活缺陷密度,并且使水远离氧化物。OF35HA100D2在多晶硅沉积过程中,芯片表面的水被赶走,生成较少水沾污的氧化层。使用氮化硅覆盖层可以将水从有源CMOs器件中隔离开,明显改善NBTI效应。为了保证氢钝化悬挂键,同时保持距有源区的距离足够大使水不能扩散到栅区域,氮化薄膜的图案和几何尺寸很关键。另外的研究表明,在这些氮覆盖的有源PMOs器件中,减小应力和H浓度非常重要。

   氘是改善HCI和NBTI效应的有效方法。将氘注入si/s⒑2界面来形成si―D键不是一件小事,如果MOS器件侧墙包括了氮化硅,沉积中有氢的存在,大多数的悬挂键已随着氢饱和,氘难以取代它们,因此需要改变工艺来保证氘可以到达si/s⒑2界面来中和悬挂键,或者在己经存在的⒏H键中用氘取代氢。

   掺氮会有一些矛盾的结果,一些研究者认为改善了NBTI退化,而另外一些人则认为导致了更严重的退化。但是通常都可以观察到退化的增强,氮浓度在NBTI敏感度中发挥着重要作用,特别是如果它位于si/s⒑2界面处。优化在栅氧中氮的掺 杂浓度可以明显地改善NBTI灵敏度,另一个改善NBTI灵敏度的关键方法是通过使用N20生长氧化层的远程等离子氮化和DPNo氧化层。在氧化层和硅界面处的氮减少了激活能,更高的氮浓度则具有更低的激活能,并且固定电荷和界面态具有相同的激活能,氮的位置也十分重要,氮和Si/S⒑2界面处的距离越近,NBTI退化越严重。