有机物沾污主要是指含碳物质。有机物沾污的一些来源包括细菌、蒸气、清洁剂、溶剂及潮气等。 OP213FSZ-REEL7在特定的工艺条件下,微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性。

   当硅片暴露于空气或含溶解氧的去离子水中时,硅片表面将被氧化,生成一层薄的自然氧化层。自然氧化层的厚度随暴露时间的增长而增加。自然氧化层将会对其他的工艺步骤产生影响,如外延的生长、超薄栅氧化层的生长等。自然氧化层也可能含有某些可动金属离子。自然氧化层存在于金属半导体的欧姆接触区将会导致器件接触电阻增加,甚至导致金属和有源区不能接触。

   静电释放也是一种形式的沾污,静电荷转移时可能损害芯片。静电放电的能量积累在硅片表面很小的一个区域内。发生在几纳秒内的静电释放能产生超过1A的峰值电流,可能使得金属互连线蒸发。静电释放也可能导致栅氧化层被击穿,使得器件在出厂前就己经损坏。另外,静电释放导致电荷在硅片表面积累,积累的电荷

产生的电场能吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面。随着器件关键尺寸的缩小,静电释放对更小颗粒的吸引变得越来越重要。