制造工艺使用LPCVD法或溅射法来沉积Wsi2。它是覆盖在Poly的上面,而形成Poly化金属的结构。EL5378IUZ然后经光刻和Poly化金属的刻蚀后,形成了整个MOS的结构。LPCVD冈刂沉积的Ws砬层的电阻率还很高,经快速热过程(Rapid Thcm时PrOcessing,RTP)适当退火后,使Ws砬层的组成由多硅转变成多钨,使整个由Poly化金属键形成的栅极金属层的电阻显著下降。

   选择合适的两次退火的温度和时间等,可以得到所要求的硅化物。硅片清洗、难熔金属薄膜的沉积、两次退火以及薄膜检测等组成硅化物薄膜形成的基本工艺。注意硅化物不是阻挡层金属。在一些硅化物中发现,硅迅速地扩散穿过硅化物。扩散发生在金属一硅化物一硅系统的热处理过程中,硅扩散穿过硅化物进入到金属中,这降低了系统的完整性。解决这个问题的方法是在硅化物和金属层之间沉积金属阻挡层。普通的硅化物阻挡层薄膜是△N,它对钨和铝都有效。例如铝是常用互连材料,但是因为铝与硅的界面并不稳定,所以通常在铝与硅的界面上,增加一层用来隔离它们两者的阻挡层,通常使用TiN。但是这么一来,铝与源漏区的欧姆接触能力降低,解决方法是在TN与硅的接触界面再增加一层导电性较好的

△S炀,使接触区金属事实上由铝合金/TN/Tis饧三层组合而成。△s砬层是在接触区表面,溅射一层△,然后在高温下来形成的。以钽为基础的阻挡层被应用于金属铜的互连布线中。影响金属硅化物可靠性的主要问题是膜的不均匀、针孔以及硅化物与⒏黏附不

牢。由于Si表面存在一层不连续的天然so2薄层,硅化物首先在s⒑2的薄弱处形成,所以必然形成不均匀、强度差的硅化物层。为此,在沉积WS圮前必须对si表面进行清洗处理,沉积Ws屯时的真空度要高。