为了形成自对准硅化物, EL5375IUZ首先沉积TEOS或Si3N4,然后用等离子体刻蚀,以便在Po1y栅的两边留下TEOs或Si3N4侧墙绝缘分隔层。仅顶部的Poly栅裸露出来,经HF浸泡去掉了自然层,250~350A的△层被沉积在硅衬底上。经过ω0~800℃的退火,形成高电阻率的△si2,通过NH40H和H202的腐蚀,去掉了所有未 参与反应的△。留下的△s圮覆盖在s/D区和Poly栅的顶部。再经过⒛0~⒇0℃的退火,产生低电阻率的△Si2。退火过程应避免o2沾污,△s圪的退火相如表2,11所不。

   对于超浅的源/漏结,接触层正在变薄。硅化物接触层的电阻率随着它的减薄而增加,因此,Ⅱs砬不希望用做太薄的接触层。对于0.18um或更低的工艺技术,采用的硅化物是CoSi2,这种硅化物经退火处理以后,即使几何尺寸降到0.18um或更低的深亚微米,它的接触电阻值仍保持在一个降低了的水平13~1即Ω・cm。Ws砬普遍地用在多晶硅化物的结构上。随着VL⒏的发展,多晶硅电阻率偏大(最小为3OOuΩ・cm),将严重影响器件的速度。然而,在重掺杂的多晶硅上(15OO~250OA)沉积一层WS圮(1000~⒛00A),经过高温退火(⒛0~l100℃)后,电阻率大大降低,可减至1.5Ω/□。