二次击穿。当器件ADG508AKR被偏置在某一特殊工作点时,电压突然降落,电流突然上升,出现负阻的物理现象叫二次击穿。这时若无限流或其他保护措施,器件将被烧毁。

   二次击穿和雪崩击穿不同,雪崩击穿是电击穿,一旦反偏压下降,器件(若击穿是在限流控制下)又可恢复正常,是可逆非破坏性的。二次击穿是破坏性的热击穿,为不可逆过程,有过量电流流过PN结,温度很高,使PN结烧毁。电压开始跌落点称二次击穿触发点,在二次击穿触发点停留的时间称二次击穿“延迟时间”。二次击穿现象不仅在双极型功率器件中存在,而且在点接触二极管、CMOs集成电路中也存在。

   铝穿透。集成电路中的铝基金属化,当硅溶进覆盖的铝膜,在连接孔退火时铝会穿过连接窗,这种现象常称为铝膜尖峰或连接坑。溶进铝膜的硅在硅片的温度下降后会析出,或者在氧化层上形成小岛,或者作为连接孔的外延硅,从而导致有效接触面积减少,接触电阻增大,甚至阻塞整个连接处。