对于钛硅化物而言,最大的挑战在于△s砬的线宽效应,即△s砬电阻会随着线宽或接触面积的减小而增加。EL5411IRZ原因是当线宽变得过窄时,从C49相到C54相的相变过程会由原先的二维模式转变成一维模式,这使得相变的温度和时间将大大增加。而过高的退火温度会使主要的扩散元素si扩散加剧而造成漏电甚至短路的问题。因此随着MOs尺寸的不断变小,会出现Ⅱsi2相变不充分而使接触电阻增加的现象。钴硅化物(CoSi2)。钴硅化物作为钛硅化物的替代品最先应用于从0.18um到90nm技术节点,其主要原因在于它在该尺寸条件下没有出现线宽效应。另外,钴硅化物形成过程中的退火温度相比于钛硅化物有所降低,有利于工艺热预算的降低。同时由于桥接造成的漏电和短路也得到改善。

   虽然在㈨nm及其以上尺寸,从高阻的Cosi到低阻的Cos圮的成核过程还十分迅速,在Coso相变过程中没有出现线宽效应,但是当技术向前推进到45nm以下时,这种相变成核过程会受到极大的限制,因此线宽效应将会出现。另外,随着有 区掺杂深度不断变浅,钴硅化物形成过程中对表面高掺杂硅的过度消耗也变得不能满足先进制程的要求。MOs进入45nm以后,由于短沟道效应的影响对硅化物过程中热预算提出了更高的要求。CoS砬的第二次退火温度通常还在700℃以上,因此必须寻找更具热预算优势的替代品。