镍硅化物(NiSi)。对于45nm及其以下技术节点的半导体工艺过程,镍硅化物(NiSi)正成为接触应用上的选择材料。 EL5412IRZ相对于之前的钛钴硅化物而言,镍硅化物具有一系列独特的优势。

   镍硅化物仍然沿用之前硅化物类似的两步退火工艺,但是退火温度有了明显降低(<600℃),这样就大大减少对器件已形成的超浅结的破坏。从扩散动力学的角度来说,较短的退火时间可以有效地抑制离子扩散。因此,尖峰退火(Spikcannea1)越来越被用于镍硅化物的第一次退火过程。该退火只有升降温过程而没有保温过程,因此能大大限制已掺杂离子在硅化物形成过程中的扩散。

   研究表明,线宽在40nm以下的钴硅化物的电阻明显升高,而镍硅化物即使在3Onm以下都没有出现线宽效应。另外,镍硅化物的形成过程对源/漏硅的消耗较少,而靠近表面的硅刚好是掺杂浓度最大的区域,因而对于降低整体的接触电阻十分有利。镍硅化物的反应过程是通过镍原子的扩散完成的,因此不会有源漏和栅极之间的短路。同时镍硅化物形成时产生的应力最小。表2,12总结了镍硅化物各项性能的优缺点对比。