S⒑2薄膜在集成电路中的应用十分广泛,从MOs器件的第一个掩膜开始,便可以看到So2薄膜的踪迹。 AD7892ARZ-2REEL早期的MOS或CMOS器件的制作,大多数so2膜都是以热氧化法的方法制作而成的,如今己开始使用CVD法制备so2薄膜。将含硅的化合物进行热分解,在晶圆表面沉积一层S⒑2薄膜,这种工艺中,硅不参加反应,只起到衬底的作用,而且氧化温度很低,又称“低温沉积”工艺。含硅的化合物有两种,分别是烷氧基硅烷和硅烷。

   (l)烷氧基硅烷分解法。烷氧基硅烷是一种含有硅与氧的有机硅化物,通常使用四乙氧基硅烷,该物质在室温下为液体,使用时要加热到40~⒛℃以提高其饱和蒸气压,分解成为sio2层,化学反应式为

   SKOC2HO4→Sio2↓+4C2H4↑+2H20忄

   烷氧基硅烷分解法具有温度低、均匀性好、台阶覆盖优良、薄膜质量好等优点。

   (2)硅烷分解法。硅烷分解法是将硅烷在氧气气氛中加热,反应生成s⒑2,沉积在晶圆上,这种方法生成的氧化膜质量较好,生长温度也较低,反应式为

   siH4+02→sio2↓+2H2↑

   沉积时,反应室内气流要均匀,流量控制也要适当,反应温度要严加控制,同时也要注意安全,硅烷是易燃易爆气体,使用前应稀释至3%~5%的体积浓度。cVD S⒑2薄膜的折射率一般是1。绍~1.轧,密度是2.05~2.⒛g/cm3,都低于热氧化的si@薄膜。CVD sio2薄膜的WER(Wct Etch Ratc)远远高于热氧化的si0薄膜。CVD⒏o2薄膜没有经过致密处理,其膜特性(击穿、漏电等)较差。因此,cVD s⒑2薄膜主要被用于做场氧、杂质阻挡层、金属间的介质层。