在氧化气氛中添加微量氯元素进行s⒑2薄膜生长,能降低钠离子沾污,抑制钠离子漂移,T5750获得高质量的氧化膜,提高器件电性能和可靠性。常用的氯源有干燥高纯的氯气(C12)或氯化氢(HCl)和高纯的三氯乙烯(oHC13,液态)。掺氯氧化一般采用干氧氧化法进行,这是因为水的存在会使氯不能结合到氧化膜中去,起不到降低可动钠离子、清洁氧化膜的作用,而且容易腐蚀硅片表面。

   掺氯氧化速率略大于普通干氧氧化速率,这是由于氯进入s⒑2薄膜,使S⒑2结构发生形变,氧化物质在其中的扩散速率增大的缘故。 在掺氯热氧化工艺中,常用的三种氯源里由于氯化氢气体和氯气都是腐蚀性较强的气体,因此在生产上使用越来越多的是三氯乙烯。在高温下三氯乙烯分解生成氯气和氯化氢用于掺氯氧化,而三氯乙烯本身腐蚀性不如以上两种气体,因此三氯乙烯是更具有发展前途的掺氯氧化工艺的氯源材料。无论是干氧或者湿氧工艺,So2的生长都要消耗硅。硅消耗的厚度占氧化物总厚度的0.弱,就是说每生长1000A的氧化物,就有450A的硅被消耗。硅片表面一旦有氧化物生成,它将阻碍氧原子与硅原子的接触。所以其后的继续氧化(氧化物的增厚)是氧原子通过扩散,穿透己生长的氧化层向内运动,抵达si/S⒑2的界面进行反应。

   氧化的过程也是气体穿过固态阻挡层扩散的过程,所以硅片制造厂中进行氧化的工作间仍被称为扩散区。