集成电路的主要失效模式有栅介层击穿短路、电参数退化、金属化互连线开路、AD9832BRUZ芯片烧毁、晶闸管闭环效应、电路漏电、电路无功能、存储数据丢失、保护电路烧毁、二次击穿和铝穿透,下面分别给以介绍。

   (1)栅介层击穿短路。随着超大规模集成电路器件尺寸的等比例缩小,在器件生产过程中薄栅氧化层上的高电场是影响器件成品率和可靠性的主要因素。当有电荷注入氧化层时,会产生结构变化(陷阱、界面态等),引起局部电流的增加,当有足够的电荷注入进氧化层时会产生热损伤,导致氧化层有一条低的电阻通路,在介质层上产生不可恢复的漏电,即发生栅介层的击穿短路,这种击穿可以在介层

上施加电流或者施加高电场来获得。