低势垒高度的欧姆接触。低势垒高度的欧姆接触是一种肖特基接触,如铝与P型硅的接触。HCF4053M013TR当金属功函数大于P型硅功函数而小于N型硅功函数时,金属―半导体接触即可形成理想的欧姆接触。但是,由于金属一半导体界面的表面态的影响,使得半导体表面感应空间电荷区层形成接触势垒,因此在半导体表面掺杂浓度较低时,很难形成较理想的欧姆接触。

   高复合中心欧姆接触。当半导体表面具有较高的复合中心密度时,金属一半导体间的电流传输主要受复合中心控制。高复合中心密度会使接触电阻明显减小,伏安特性近似对称,在此情况下,半导体也可以与金属形成欧姆接触。随着微电子器件特征尺寸越来越小,硅片面积越来越大,集成度水平越来越高,对互连和接触技术的要求也越来越高。除了要求形成良好的欧姆接触外,还要求布线材料满足以下要求:

   ①电阻率低,稳定性好;

   ②合金可被精细刻蚀,具有抗环境侵蚀的能力;

   ③易于沉积成膜,黏附性好,台阶覆盖好;

   ④具有很强的抗电迁移能力,可焊性良好。