氮化硅(silicon Nitidc)薄膜是无定AD7892ARZ-3形的绝缘材料,在半导体器件及集成电路制作工艺中主要用做Sioo的刻蚀掩膜,它在ULsI中的主要应用如下:

   (1)集成电路的最终钝化层和机械保护层(尤其是塑料封装的芯片);

   (2)不易被氧渗透,进行场氧化层制作时,作为硅选择性氧化的掩蔽膜;

   (3)DRAM电容中作为0―N~0叠层介质中的一种绝缘材料;

   (4)作为MOsFE飞的侧墙(例如,用于形成LDD结构的侧墙以及形成自对准硅化物过程中的钝化层侧墙);

   (5)作为浅沟隔离的CMP停止层。

   由于氮化硅有较高的介电常数(为6~9,而CⅤD二氧化硅只有4.2左右),如果代替si02作为导体之间的绝缘层,将会造成较大的寄生电容,从而降低了电路的速度,因此不能用于层间的绝缘层。