器件栅极形成后进行多晶氧化,在栅极OP220GSZ多晶上热生长一层si02。接着采用5#光刻版进行NMOs轻掺杂漏(Ⅱghtly Dopcd Drain,LDD)的光刻,随后进行离子注入量级,形成NMOs的轻掺杂的源漏区域(N LDD),如图4.9所示。注入元素为As,剂量为1013量级,注入的能量比较低,因此As被注入的位置比较浅。为防止多晶硅栅的遮蔽,注入时圆片需要旋转不同的角度。最后去除光刻胶并对圆片进行清洗。

   图4,9 NLDD注入

   下一步采用解光刻版进行PMOs轻掺杂漏(P LDD)的光刻以及离子注入,同样采用低能量注入,注入元素为B,剂量为1013量级,如图4.10所示。由于B的扩散比As快,因此P LDD的注入能量要比N LDD的注入能量低,注入时同样旋转圆片以消除多晶硅栅的遮蔽效应。最后去除光刻胶并对圆片进行清洗。