热电子的来源一般分为雪崩热载流子和沟道热载流子两类,它对应于器件的不同工作状态。如果吒s=‰s且/:s(0时,这时的条件叫雪崩热载流子注入条件, ESD5Z3.3T1G此时注入区主要发生在漏结附近,是‰s控制着沟道热电子注入量。当器件的沟道长度逐渐变小时,由于电压不能随比例下降,沟道中的电场强度会上升。以NMOS管为例,漏极是电场最强的地方,当沟道中的载流子进入漏极时,会获得高能量,通过碰撞离化作用产生电子空穴对,当载流子的能量超过si/So2势垒高度时,会注入氧化层中形成陷阱电荷或界面态,使器件的特性退化,形成沟道热载流子注入。

   界面态的产生过程如图5.2所示,沟道热载流子直接轰击产生界面态陷阱,或者热载流子激发进入氧化层形成氧化层陷阱。