- 工程研究人员相关的实验设计、数据分析能力也非常重要2017/11/20 20:08:03 2017/11/20 20:08:03
- 强大的数据处理能力.能处理以G为单位的数据量;②预定义的aut。_report,在数据到达时可以白动运行.产生各种图表,缩短分析时间,提高分析效率;③各种统计方法、SGM8622XS技术的软件实...[全文]
- 关键区域(criticaI area)简介2017/11/19 17:25:29 2017/11/19 17:25:29
- 传统的yieldmodel一个隐含的重要假设,是所有缺陷都是致命缺陷(killerdefecO。现实中显然并非如此。OMAP1510CGZG2R如图17.6所示,当特定大小的缺陷掉...[全文]
- 关键层,缺陷敏感度高.2017/11/19 17:23:30 2017/11/19 17:23:30
- 有了D0,还必须能和产品的yield联系起来,这样对于产品能作出合理的yield预测,对丁艺改善进行指导。HVLED805TR一种应用较为广泛的yieldmodel是boseein...[全文]
- 统计过程控制在集成电路生产中的应用2017/11/19 17:14:46 2017/11/19 17:14:46
- 在集成电路制造生产过程中,每一个主要的生产步骤之后都会进行一些测量或监控,例HCF4538M013TR如所沉积的薄膜的厚度,化学机械抛光之后金属或绝缘体薄膜的厚度,刻蚀之后沟槽、通孔、有源lx、...[全文]
- 常用控制图的分类2017/11/19 17:13:00 2017/11/19 17:13:00
- 根据控制参数的不同可以分为八大类常规控制图,如表16,3所示(国标GB/T4091)。HCF4099M013TR根据使用过程中△序是否处于稳态,叉可以分为分析用控制图和控制用控制图...[全文]
- 控制图原理2017/11/19 16:55:59 2017/11/19 16:55:59
- 导致质量特性波动的l’sl素根据来源不同呵分为人员(man)、设备(n1achine)、原材料HCF4052BEY(material)、I艺方法(n1ethod)、测量(mcasurcmen0和...[全文]
- 扫描电镜的分辨率2017/11/18 17:13:07 2017/11/18 17:13:07
- 分辨率是扫描电子显微镜的主要性能指标,它是指SC16C554IB80在图像上能分辨出的两个亮点之间的最小问距c影响扫描电镜分辨率的主要囚素一是扫描电子束斑直径,一般认为扫捕电镜能分辨的最小间距不...[全文]
- HCI的机理2017/11/17 21:41:59 2017/11/17 21:41:59
- 当MOS器件丁作时,载流子(电子或空穴)从源向漏移动,在漏端高电场区获得动能。UC3524ADWTR随着能量的累积,这些高能载流子不再与晶格保持热平衡状态,而是具有高于品格热能(KT)的能量,称...[全文]
- HCI的机理2017/11/17 21:41:57 2017/11/17 21:41:57
- 当MOS器件丁作时,载流子(电子或空穴)从源向漏移动,在漏端高电场区获得动能。UC3524ADWTR随着能量的累积,这些高能载流子不再与晶格保持热平衡状态,而是具有高于品格热能(KT)的能量,称...[全文]
- 透射电镜2017/11/16 20:48:44 2017/11/16 20:48:44
- 透射电镜:FIB定点切割制备的样品,经TEM观察发现NMOS管LDI)(lightlydopeddlcain)lX域、SGM8903YTS14G有源Ex和STI(shallowtrenchiso...[全文]
- 失效模式:白动测试(ATE)连续性/开路2017/11/16 20:30:52 2017/11/16 20:30:52
- (1)基本情况:sMIC0,18um制程TQV(testqualificationvehiclc),它以sRAM为载体,SGM2019-1.5YN5G用于检测产品的质童和可靠性参数。SGM201...[全文]
- 聚焦离子束强微镜的基本功能2017/11/16 20:19:37 2017/11/16 20:19:37
- (1)定点切割(precisionalcutting):利川离子的物理碰樟来达到切割的冂的,SDB628泛应于集成电路(I(r)和I'(lI)的Cr°ssscction加丁和分析....[全文]
- 相位衬度2017/11/16 20:12:41 2017/11/16 20:12:41
- 相位衬度:衍射束SC1088和透射束或衍射束和衍射束由于物质的传递引起的波的相位的差别丽形成的衬度。当样品薄至100nm以下时,电子可以传过样品,波的振幅变化可以忽略,成像来自于相位的变化。...[全文]
- 俄歇电子2017/11/15 20:54:47 2017/11/15 20:54:47
- 俄歇电子:原子内T0518-007D层电子能级跃迁过程中释放出来的能量不是以X射线的形式释放而是用该能量将核外另一电子发射出去(或使空位层的外层电子发射出去),脱离原子变为二次电子,这个被电离出...[全文]
- 微分析技术2017/11/15 20:38:45 2017/11/15 20:38:45
- 确定失效原因的物理分析(PFA).通常需要包含样品制备和观测两部分。在失效分析TMS320F28015PZA时,常需一系列、不止一次的样品制备、观察・直到引起失效的缺陷显现并被确证...[全文]
- 基于原子力显微镜的纳米探针技术2017/11/15 20:15:40 2017/11/15 20:15:40
- 基于原子力显微镜的纳米探针技术,就是在传统的原子力显微镜基础上,添加由TC74VHC244FEL根探针和精密的电学测试机相连接所组成的电学测量系统。它利用原子力显微镜原理获得被检测样品的表m原子...[全文]
- 若缓缓旋转“给定”电位器,2017/11/14 21:10:04 2017/11/14 21:10:04
- 若缓缓旋转“给定”电位器PEC11L-4215F-S0015,直流电流超过100A仍未有中频叫声,则可将互感器(LH5)的引线端(“1"”、“112”)对调或变压器(B2)次级端引线(“I10”...[全文]
- PEM用于定位热载流子引起的失效2017/11/14 20:47:56 2017/11/14 20:47:56
- 热载流子是MOS管漏端附近在强电场作用下具有很高能董的导带电子或价带帘穴,PIC18F13K22热载流子可以通过多种机制注入MOS管的栅氧化层中,主要有沟道热电子在漏端附近发生碰撞电离获得足够的...[全文]
- PEM在ic失效分析中的应用包括以下几方面2017/11/14 20:45:58 2017/11/14 20:45:58
- PEM在ic失效分析中的应用包括以下几方面。PEM用于缺陷检测PIC16F688-I/SLShade把器件失效情况和发光情况的联系分为四类,如表14.1所示。...[全文]
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