确定失效原因的物理分析(PFA).通常需要包含样品制备和观测两部分。在失效分析TMS320F28015PZA时,常需一系列、不止一次的样品制备、观察・直到引起失效的缺陷显现并被确证为止。最常用的样品制备技术,剥层和剖面.HB定点切割在前面章节已有详细介绍。观察技术,则是利用一些不同的显微镜,即微分析技术来完成的。

   微分析技术系指利用一系列技术/原理,分析那些超过人眼分辨率的微小物理尺寸的物体的表面形貌、元素含董与形态的技术。在集成电路失效分析中,常用的微分析技术有以光子束作为人射柬的光学显微镜、X射线光电子能谱,以电子束为入射束的扫描电f显微镜、 透射电子显微镜、俄歇电子能谱和X射线微分析技术.以离子束为人射束的聚焦离子束(FIB)、二次离子质谱以及扫描探钊技术,如扫描隧道显微镜、原子力显微镜、扫描电容显微镜、扫描热显微镜、扫描近场显微镜和原f力探针等。

   微分析技术在集成电路失效诊断及材料表征中都起着不可或缺的作用,是分析实验室最基本也是应用最广的设备之一。

   虽然各类文献中报道的微分析技术种类及名称繁多,但是所有的微分析技术的物理原理和设备的主要成分/部件却是类似的。光学显微镜有着悠久的历史,在生物、医学、丁业、研究均有广泛的应用。1925年德围物理学家德布罗意提出物质微观粒子的波动论后.用电子聚焦成像的学科(电子光学)便得到迅速发展9根据物质的波粒工向性,利用电子、离子或光子(可视为一次粒子)人射束入射到阎体样品表面上,利用人射束勹样品相互作用,激发出二次粒子,同样有电f、离子或光子等二次粒子出射:如二次电子、背散射电子、俄歇电子和二次离子等,也可以同时产生特征X射线和韧致辐射,并激发出阴极荧光等。这些带有样品面信息的出射粒子经相应的探测器接收、分析、即可得到样品的图像(形貌)和谱(组分)。