热点是芯片最容易失效的部位,也是芯片最常见的失效模式之一。热点检P87C51RB+5A测是芯片级失效定位的有效手段。报道的热点检测技术有红外显微分析,液晶检测技术和Flu°rescentMicrothcrmal Imaging。

   红外显微分析:红外显微镜采用近红外(波长在0,75~3um)辐射源做光源,并用红外变像管(photovoltaic type dctector that is sensitive in】hc IR wavelengths)成像的红外显微镜分析技术。红外显微分析测量温度的原理是被测物体发射的辐射能的强度峰值所对应的波长与温度有关,用红外探头逐点测量物体表面各单元发射的辐射能峰值的波长,通过计算机换算成各点的温度值。新型红外显微分析或称红外热像仪,采用同时测量样品表面各点温度的方式来实现温度分布的探测。

   显微红外热像仪利用显微镜技术将发自样品表面各点的热辐射(远红外区)汇聚至红外焦平面阵列检测器,并变换成多路点信号,再由显示器形成伪彩色的图像,根据图像的颜色分布来显示样品各点的温度分布。锗、硅等半导体材料(包括薄的金属层)对近红外辐射基本是透明的,利用红外显微镜可直接观察半导体器件和集成电路的金属化缺陷、位错和PN结表面缺陷、芯片裂纹以及利用反射红外光观察芯片与管座的焊接情况。随着倒置封装技术的发展,为红外显微镜的背面缺陷定位提供了新的舞台。红外显微系统对多器件封装、线路板、芯片封装等能通过微小面积高精度非接触测温定位,但对空问分辨率要求不高的失效模式特别有用。

   红外显微分析的最大优点就在于它与被检测器件不需要物理接触,对器件也不存在负载的影响,而且应用简便、快速,在通常条件下,被测器件无须通电。但其最佳空间分辨率约5um,对小尺寸深亚微米技术芯片级失效分析,其精准度受限于空间分辨率,不能满足芯片失效定位的需求。