在先进I艺中,随着金属连线的尺寸越来越小,微小的铜线高度的变化,就会造Q62702A950成很大的电阻值和电容值的变化。在铜抛光中铜去除量的波动是电阻值波动的主要来源之一。所以先进工艺对铜抛光的第」大挑战是如何降低电阻值R、的波动。铜抛光中铜去除量的波动是其WIW/WID/WTW非均匀性,以及其凹陷(dishing)与侵蚀(crosion)所形成的综合效果。当WIW/WID/WTW非均匀性得到改进,铜的去除量则可降低;另外当主要由凹陷与侵蚀引起的上一层的非平整度降低,下一层铜抛光中的铜去除量也可大大降低。铜抛光中WIW/WID/WTW非均匀性以及凹陷与侵蚀的改善依赖于很多囚素,它是研磨液、抛光垫和抛光垫修整过程在各种抛光条件下相互作用的综合效果。第=步阻挡层的研磨对R、波动的影响尤为明显。所以通过终点检测和APC)提高其控制能力,通过抛光垫和抛光垫修整条件的改善减少新旧抛光垫间的差异以及阻挡层研磨抛光选择性的优化、表面形貌修正能力的改善,对降低R、波动至关重要。另外,在先进工艺中,介质层会由帽封层(如TE(B)和低乃材料所组成。为了提高抛光的控制能力,降低WTW的R、波动,低虑材料的抛光速率应该低于帽封层的抛光速率。采用这种具有自动停止(self stop)功能的研磨液,也成为近年来的发展趋势之一,以降低电阻值的波动,见图11.15。