使用共金贴片工艺的示意图
发布时间:2017/11/22 21:24:06 访问次数:1947
一般芯片颗粒背后银胶层厚度为5um。同时芯片颗粒周边需要看到银胶溢出痕迹,保OB2536AP证要有90%的周边溢出痕迹(见图19.8)。
图19.8 贴片及打线工艺完成后的截面照片,芯片颗粒外围可见溢出现象其他的常用贴片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代银胶(见图19.9).
图199 使用共金贴片工艺的示意图
其他的常用贴片模式之二・主要是使用焊锡丝熔焊模式取代银胶芯片颗粒小的产品(见图19.10),贴片的速度可以提高:但是对于芯片颗粒超大的产品.贴片时需保证误差度在50um以内.所以速度要放慢:针对超薄的芯片颗粒.必须用慢速及特昧的芯片颗粒吸取吸头,以保证芯片颗粒不会被破坏或出现微裂纹.
一般芯片颗粒背后银胶层厚度为5um。同时芯片颗粒周边需要看到银胶溢出痕迹,保OB2536AP证要有90%的周边溢出痕迹(见图19.8)。
图19.8 贴片及打线工艺完成后的截面照片,芯片颗粒外围可见溢出现象其他的常用贴片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代银胶(见图19.9).
图199 使用共金贴片工艺的示意图
其他的常用贴片模式之二・主要是使用焊锡丝熔焊模式取代银胶芯片颗粒小的产品(见图19.10),贴片的速度可以提高:但是对于芯片颗粒超大的产品.贴片时需保证误差度在50um以内.所以速度要放慢:针对超薄的芯片颗粒.必须用慢速及特昧的芯片颗粒吸取吸头,以保证芯片颗粒不会被破坏或出现微裂纹.
上一篇:贴片(Die Attach)
上一篇:打线键合(Wire Bc,nd)
热门点击
- 扫描电镜的分辨率
- Cu CMP产生的缺陷
- 使用共金贴片工艺的示意图
- 俄歇电子
- 热点检测失效定位
- 先进工艺对Cu cMP的挑战
- 关键区域(criticaI area)简介
- 相位衬度
- 应力记忆技术的刻蚀
- 具有高MEEF的图形会减少全芯片的工艺窗口
推荐技术资料
- 自制经典的1875功放
- 平时我也经常逛一些音响DIY论坛,发现有很多人喜欢LM... [详细]