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使用共金贴片工艺的示意图

发布时间:2017/11/22 21:24:06 访问次数:1947

   一般芯片颗粒背后银胶层厚度为5um。同时芯片颗粒周边需要看到银胶溢出痕迹,保OB2536AP证要有90%的周边溢出痕迹(见图19.8)。

   图19.8 贴片及打线工艺完成后的截面照片,芯片颗粒外围可见溢出现象其他的常用贴片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代银胶(见图19.9).

     

    图199 使用共金贴片工艺的示意图

   其他的常用贴片模式之二・主要是使用焊锡丝熔焊模式取代银胶芯片颗粒小的产品(见图19.10),贴片的速度可以提高:但是对于芯片颗粒超大的产品.贴片时需保证误差度在50um以内.所以速度要放慢:针对超薄的芯片颗粒.必须用慢速及特昧的芯片颗粒吸取吸头,以保证芯片颗粒不会被破坏或出现微裂纹.

   一般芯片颗粒背后银胶层厚度为5um。同时芯片颗粒周边需要看到银胶溢出痕迹,保OB2536AP证要有90%的周边溢出痕迹(见图19.8)。

   图19.8 贴片及打线工艺完成后的截面照片,芯片颗粒外围可见溢出现象其他的常用贴片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代银胶(见图19.9).

     

    图199 使用共金贴片工艺的示意图

   其他的常用贴片模式之二・主要是使用焊锡丝熔焊模式取代银胶芯片颗粒小的产品(见图19.10),贴片的速度可以提高:但是对于芯片颗粒超大的产品.贴片时需保证误差度在50um以内.所以速度要放慢:针对超薄的芯片颗粒.必须用慢速及特昧的芯片颗粒吸取吸头,以保证芯片颗粒不会被破坏或出现微裂纹.

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