热载流子是MOS管漏端附近在强电场作用下具有很高能董的导带电子或价带帘穴,PIC18F13K22热载流子可以通过多种机制注入MOS管的栅氧化层中,主要有沟道热电子在漏端附近发生碰撞电离获得足够的垂直方向上的动量而进入到栅氧化层的沟道热电子注人以及漏端附近碰撞离化和需崩倍增产生的热电子和热空穴注入的漏雪崩热载流子注入。注人栅氧化层的热载流子可以在氧化层中产生陷阱电荷,在器件的硅-二氧化硅界面产电界面态,从而寻致器件性能退化,如阈值电压的漂移、跨导和驱动电流能力下降、亚阈值电流增加。工作在饱和l×的MOSFET热载流子发光机制,主要有热载流子对漏区电离杂质的库仑场中的轫致辐射和电子与空穴的复合发光或以上两种机制的综合。利用PEM,可以对热载流子注人区域定位,研究热载流子注人和发光机制,分析器件失效原闪。止常偏置条件下(饱和Fx)发光像和反射像叠加。可以观察到发光点,表示对栅和漏端发生了异常热载流子注人。