非接触电容一电压测量：REF200AU前面介绍的电容一电压曲线检测需要十分苛刻的准备工作，包括时间消耗和原材料消耗。另一种决定电压漂移和其他MOS晶体管栅极参数的非接触法称为COS（光环一氧化物一半导体）（见图1。MOS晶体管方法需要两个被栅氧化层分离的电极。上极板的电极电压在金属一氧化层界面产生了许多电荷。用光环源（COS中的C）在氧化层表面直接产生电荷会得到同样的结果。这样去增加电压也会得到与电容一电压测试法相同的晶体管信息、电荷（漂移）、平带电压、表面状态和氧化层厚度。这种方法与标准测量相符.

   嚣件失效分析一发射显微镜

   当一个半导体器件工作时，会释放某种可见光。当有问题存在时，光斑会出现在有问题的地方。例如，当表面结点上有亮点时，表明污染物导致了结漏电。由敏感探测器和电荷耦合器件(CCD)构成的显微镜能查出出现问题的地方，并拍下照片。当电子测量表明电路失效时，这种方法尤其适用，但这只能查出电路的问题块，而不能指出造成电路失效的具体器件。

   学习完本章后，你应该能够：

   1．解释电阻、电阻率和方块电阻的区别。

   2．画出四探针测试仪的部件和电流流向示意图。

   3．比较在测量薄膜厚度时，彩色干涉、条纹计算、分光光度计、椭偏仪和触针的原理及用途的不同。

   4．比较在测量结深时，刻槽和染色、扫描电镜和扩散电阻的原理及用途的不同。

  5．列出用光学显微镜和扫描电镜检查晶圆表面的方法和优点。

   6．厕出二极管正向偏置和反向偏置的示意图及与之相对应的电压一电流曲线。

  7．解释关于PN结性能特性的表面漏电流效应。

  8．画出双极型晶体管和MOS晶体管工作原理示意图，并画出相应的电压一电流特性曲线。

  9．列出电容一电压测量的步骤和污染检测的原理。

  10.描述原子力显微镜的原理及用途。