硅栅MOS技术的采用， AD8034ARTZ-REEL7使芯片上淀积的多晶硅线条变成r导体。为了作为导体使用，多晶硅必须被掺杂以增加其导电性。一般，首选杂质是磷，因为它在硅中有高的固熔度，掺杂可以用扩散、离子注入或在LPCVD过程中原位(in situ)掺杂。其差异与在晶粒结构方面的掺杂温度效应相关。温度越低，陷在多晶晶粒结构里的杂质量越大，在那里它们不能参与导电。这是寓子注入所具有的情况．，扩散掺杂导致最低的薄膜方阻率。由于晶界俘获，原f移 CVD掺杂有最低的杂质载流子迁移率。

   掺杂多晶硅具有比硅晶圆好的欧姆接触的优势，并能被氧化形成绝缘层、、多晶硅氧化膜的质量低于生长在单晶卜热氧化膜的质量，这是由生长在粗糙的多晶硅表面的氧化膜的不均匀性所致的。

   虽然多晶硅与硅有较低的接触电阻，但它依然展示出比金属材料高得多的电阻  叮使多层金属堆叠在多晶硅和硅化物（如钛硅化物）上，称为多晶硅化物（见第16章）.