CVD系统有着多种多样的设计和配置。通过基本子系统的通用性分析，AD7549JN有助于对大部分CVl)系统多样化的理解（见图12.9）。大部分CVD系统的基本部分是相同的，如管式反应炉（已在第7章中描述）、气源柜、反应室、能源柜、晶圆托架（舟体），以及装载和卸载机械装置。在某些情况下，CVD系统则是一种专用的预氧化和扩散的管式反应炉．，化学气源被存储在气源柜内。蒸气从压缩的气体瓶或液体发泡源中产生。气体流量通过调压器、质量流量计和计时器共同控制2.

   实际的淀积发生在反应室内的晶圆上。加热用的能量呵通过热传导、对流、射频、辐射、等离子体或紫外线等来提供。能量释放在特定的相关部位。对于不同的反应，不同的薄膜厍度及制造参数，温度的变化范围町从室温到1250℃。

   系统的第4部分是晶圆托架，、反应室配置及热源不同，托架的构造和材料也不同．大多数用于制造甚大规模集成电路( ULSI)的系统全部采用自动化的装载和卸载系统。完整的生产系统还包含了相应的清洗部分或清洗台和装卸片区。