图形复制的精度依靠几个工艺参数。它们包括：不完全刻蚀、过刻蚀、钻蚀、选择比LE78D110BVC和侧边的各向异性／各向同性刻蚀。

    不完全刻蚀是指表面层还留在图形孔中或表面上的情况（见图9.14）．、不完全刻蚀的原因是刻蚀时间太短，出现可减慢刻蚀时间的表面层，或是一个薄厚不均匀的表层也可导致在厚的部分产生不完全刻蚀。如果使用化学湿法刻蚀，过低的温度或弱的刻蚀液会导致不完全刻蚀。如果是干法等离子刻蚀，／fi正确的混合气体或不当的系统运行可导致相同的影响。

    过刻蚀和钻蚀

   与小完全刻蚀相反的是过刻蚀( overetch)。在任何的刻蚀工艺中，总会有一定程度的、有汁划的过刻蚀，以便允许表层厚度的变化。有计划的过刻蚀还可用以突破最外表层的缓慢刻蚀层，

   理想的刻蚀应在衷层中形成垂直的侧边（见图9. 15）。产生这种理想结果的刻蚀技术称为各向异性刻蚀( anisotropic)。然而，刻蚀剂会从各个方向去掉材料，这种现象称为各向同性( isotropic)。在从最外表面刻蚀到表层底部的过程中刻蚀也会在最外表面进行。结果会在侧边形成一个斜面。这种作用因在光刻胶边缘下被刻蚀，所以称为钻蚀( undercutting)（见图9.16）、，一个持续的刻蚀目标是把钻蚀水平控制在一个可接受的范围内。电路版图的设计者在计划电路时会把钻蚀考虑在内。相邻的图形必须要分开一定的距离以防止短路。在图形设计时必须计算钻蚀量。各向异性刻蚀可用等离子体刻蚀的方法来得到，它用于刻蚀高级电路时受到青睐，、钻蚀的减少可允许制作更密的电路。

   当刻蚀时间过长，刻蚀温度太高，或是刻蚀剂混合物太强便会发生严重的钻蚀（或过刻蚀）。当光刻胶和晶圆表面黏结力较弱时也会发生钻蚀。这是一个持续令人担心的问题。干燥脱水、底胶、软烘焙和硬烘焙的目的就是用来防止这种问题的。在刻蚀开孑L的边缘光刻胶黏附力的失效会导致严重的钻蚀。如果黏结力非常弱，光刻胶会翘起而导致极为严重的钻蚀。