SI-CCD是商用PEM系统传统的微光探头,工作原理是Si的光子吸收作用,同光的透明性是互补效应。PI74FCT2573TS由于硅对红外、近红外波段的透明性,S卜CCD探头本身并不适合背面分析,其量子效率(quantum ef伍ciency)在波长1100nm以外急剧衰减,因此S卜CCD探头主要适用于波长为400~1100nm可见光波段及近红外光波段的光子探测。

   深亚微米技术领域,随着物理尺寸和工作电压的逐渐减小,失效点在电应力作用下产生的载流子跃迁导致光辐射,其相应的波长往往在近红外甚至远红外波段。重掺杂的衬底引起的窄禁带效应及其对白由载离子的吸收,进一步减弱光子的传输。在此情况下,CCD探

头原本覆盖的一小部分近红外波段,叉被进一步衰减。因此,现代的PEM系统,除了传统的⒏CCD探头,常配备另一宽禁带宽度的MC)T(HgCdTe,cadmium mercury telluride)或InGaAs探头,组成双探头系统,这个系统在侦测传统的光电子发射失效上灵敏度更高,覆盖光谱从CCD探头的可见光区域延伸到2100nm波长的红外波,这样也可以用来探测某些具有欧姆特性的缺陷。现代光辐射显微镜的最小电流探测能力可达lnA,空间分辨率约1um。随着MCT和InGaAs探头的发展和推广,背面PEM分析和某些具有欧姆特性的失效定位已经成为可能。