改善光学邻近效应修正的精确度和可靠性。光学邻近效应修正的基本流程是:在建立模型时,先将一些校准图形,如图7.32所示设计在测试掩膜版上。S912B32E4VFUE8再通过使用硅片曝光的方式得到在硅片上光刻胶的图形尺寸,然后对模型进行定标(定出模型的相关参量),同时算出修正量。再根据实际图形同定标图形的相似性,根据模型对其进行修正。光学邻近效应修正的精度取决于以下因素:硅片线宽数据测量精确度、模型拟合精确度以及模型对电路图形修正算法的合理性和可靠性,如采样(fragmenta⒒on)方法、采样点密度的选取、修正步长等。对于光刻胶的模型,一般有简单的包括高斯扩散的阈值模型(threshold m°dcl withgaussian diffusion)和可变阈值模型(vahable thresh°ld resist models)[明。前者假设光刻胶为光开关,当光照强度达到一定阈值时,光刻胶在显影液中的溶解率发生突变。后者的产生是由于前者同实验数据的偏差。后者认为,光刻胶是一个复杂的系统,它的反应阈值同最大光强和最大光强的梯度(会造成光敏感剂的定向扩散)都有关系,而且可能是非线性关系。

   而且后者还可以描述一些刻蚀方面的在密集到孤立图形上的线宽偏差。当然此种模型在物理上并不能十分清楚地展现物理图像。一般来讲,阈值模型加上高斯扩散物理图像很清楚,人们对它的使用比较多,尤其在工艺开发和工艺优化工作上。在光学邻近效应修正上,由于

需要在很短时间内建立一个精确到几个纳米的模型,加入一些额外的、无法讲清楚物理含义的参量就无法避免了,也是一种权宜之计。当然,随着光刻工艺的不断发展,光刻邻近效应 断发展,吸收入具有物理含义的参量。为了增加模型的精确度,可以通过增加(比如3~5次),扩大测量图形的代表性,也就是提高定标(gauge)图形,如同电路设计图形在几何形状上的相关和相似性。在模型拟合过程中,尽量使

及将拟合误差反馈给光刻工程师进行分析,排除可能发生的错误。有关光学的内容将在另外的章节做深人介绍。