Ar preˉde【an的作用是通过离子轰击去除基体表面的氧化物。Ar pr←clean cllamber主要由高频(RF2)、低频电源(RF1)和一个石英罩构成,其结构如图6.17所示。RF1作用是加速粒子撞击以产生等离子, OPA2227U故选择对加速离子有利的低频电源,频率一般在400kHz。

   RF2的作用是产生负的偏压。在交流电作用下,正负电荷会不断改变自己的运动方向。负电荷由于质量轻运动速度就快,在电场改变方向以前,可能就已到达wafer表面并逐渐累积起来,最后形成较大的负偏压,吸引正的Ar离子来轰击wafer表面。频率越高,形成的负压越大,dean的效率越高。现在RF2的频率为13,56MHz。但是这种轰击没有选择性,当氧化物被去除以后,Ar离子会继续刻蚀基体,使部分硅化物也被去除,导致RC增加。所以, 在进行工艺开发时,Ar pre clean的时间和功率(power)都要调整,通过DOE找到合适的工艺参数,达到既能保证氧化物被彻底清除,叉能尽量避免对硅化物的损伤的目的。

   ⒏∞血是新的Pre clean丁艺,它实际是一种dry etch I艺,反应原理如下:

   NF3+NH3(RF) 9NH.F+NH1F.HF

   NH4F+NH1F,HF+Si02(Heat)~’(NH4)2⒏F6+H20

   (NH1)2⒏F6+H2(×Heat)~-・SiF1+NH3

   sconi的优点是采用了remote plasma,所以不存在PID问题。而且由于是气体反应,与采用物理轰击的Ar pre cIean工艺相比较少受contact A/R的影响。所以,用做∞ntact的pre clean时,siconi主要应用在具有较高A/R(>20:1)的dram制程,logic制程还是Ar pre_clean。