曝光完成后,光刻胶需要经过又一次烘焙。因为这次烘焙在曝光后,叫做“曝光后烘焙”,TA31086F简称后烘(Post Exposure Bake,PEB)。后烘的目的在于通过加热的方式,使光化学反应得以充分完成。曝光过程中产生的光敏感成分会在加热的作用下发生扩散,并且同光刻胶产生化学反应,将原先几乎不溶解于显影液体的光刻胶材料改变成溶解于显影液的材料,在光刻胶薄膜中形成溶解于和不溶解于显影液的图形。由于这些图形同掩膜版上的图形一致,但是没有被显示出来,又叫“潜像”(latent im鲳e)。对化学放大的光刻胶,过高的烘焙温度或者过长的烘焙时间会导致光酸(光化学反应的催化剂)的过度扩散,损害原先的像对比度,进而减小工艺窗口和线宽的均匀性。详细的讨论将在后续的章节中进行。真正将潜像显示出来需要通过显影。