铝垫刻蚀通常是在LAM2300Versys Metal的腔室内进行的。标准的铝刻蚀气体有BC13和被选择的聚合物气体CH1。铝垫刻蚀由两步组成:主刻蚀(ME)和过刻蚀(OE)。M01044主刻蚀步骤的时间由可以探测铝信号的终点模式控制。扫描电子显微镜(SEM)被用来监视铝线条和铝垫侧壁的形状。图8.46显示的是透射率从55%~95%被分成六组的情况,它们的主刻蚀终点(EDP)时间和腐蚀缺陷的表现来自于同一个△艺程式。可以看出,刻蚀终点时间对透射率有着很强的线性依赖关系.透射率越高.相应地刻蚀终点时闸越长,腐蚀缺陷越严重。这可以解释为有更多的铝薄膜暴露了出来.要被刻蚀掉.因此需要更长的刻蚀终点,而可用来产生足够保护铝侧壁的聚合物的光刻胶更少.囚此导致更坏的宏观负载指标:众多的腐蚀缺陷。即使更长的刻蚀终点.也不能提供足够的聚合物保护c它还可以看出,透射率低于70%的任何一组.都没有腐蚀缺陷。图8.47(a)显示的是F组从铝垫侧壁生长出的腐蚀缺陷。