晶边刻蚀是指采用千法刻蚀去除晶圆边缘处所不需要的薄膜,它首先出现于2007年初,LAM公司出产的2300C()RONUS是关键的晶边刻蚀机之一。 PIC16F688-I/SL由于在65nm及以下I艺节点,晶圆的边缘在半导体制造中成为良率限制的主要来源之一,从而引起了广泛地关注。从晶圆边缘转移的各种缺陷,成为良率的主要杀手。在器件制造过程中,薄膜沉积、光刻、刻蚀和化学机械抛光之间复杂的相互作用,在晶圆的边缘造成了不稳定的薄膜堆积,在后续的I艺步骤中,这些薄膜的部分或者全部可能产生缺陷,而这些缺陷会被转移到晶圆的器件区域。因此,在器件制造过程中,有效地去除这些在晶圆边缘处堆积起来的薄膜,可以减少缺陷,得到更高的器件良率。除了从晶圆边缘剥离掉薄膜,金属沾污也需要晶边刻蚀,这时为了避免在生产线上的金属沾污,并且只能采用干法刻蚀,因为湿法是不可控的,特别是对新型的高虑材料。