栅极链测试结构

   专门用于测定MOS器件栅氧化层缺陷的测试结构,氧化层是否存在缺陷,可以由多晶硅栅极对衬底、PAM3101DAB330源极和漏极是否存在一定量的漏电流来确定。

   MOS晶体管阵列测试结构

   由栅漏相连的100个M飞晶体管组成一个阵列,通过引出的检测'点可任意选测一个晶体管。如果这样的阵列布满整个硅片,则可确定失效的位置和密度分布,再配合适当的镜检,还可以判定缺陷的性质。

   可选址CMOS反相器阵列测试结构

   包含多个反相器,所有反相器均由测试点IN弘IN提供输人信号,传输门的控制信号由阵列左侧的移位寄存器提供,相当于平行译码,每一列传输门的输出连在一起,由一个测试点INⅥOUT引出。采用一个2×10的标准探针阵列,就可以选测任何一个电路单元。

   环形振荡器

   由奇数个结构相同的反相器构成,它们串接在一起,最后一级的输出接到第一级的输人,构成振荡电路。好处是:解决了直接测量单级门的延迟的困难;对于验证一个新的设计规则、工艺结构和器件性能是一种简便易行的方法。