二氧化硅薄膜在现代硅基微电子芯片制造中起着十分关键的作用。二氧化硅能阻挡硼、磷等杂KA5L0380RYDTU质向硅中扩散,将这一性质和光刻技术结合可实现制造硅芯片的平面工艺。二氧化硅在微电子工艺中有着极为重要的作用,主要体现在以下4个方面:

   ①作为掩膜。在单晶硅定域掺杂时作为掩膜,“绪论”中提到的扩散掺杂就是按⒊o2掩膜图形进行的。

   ②作为芯片的钝化和保护膜。在芯片的表面,淀积一层⒏o2可以保护器件或电路,使之免于沾污,特别是pn结的表面,沾污将使器件单向导电特性变坏,另外⒊O2化学稳定性好,可使器件表面钝化,避免化学腐蚀。

   ③作为电隔离膜。SiO2介电性质良好,集成电路元件之间的介质隔离或者多层布线作为之间电隔离多采用⒏O2薄膜。

   ④作为元器件的组成部分。做MOS场效应晶体管的绝缘栅材料,作为电压控制型器件,栅极(控制极)下面是一层高致密的s02薄层。只有高致密,才能保证栅极和⒏O2下方的硅片表面间有足够的绝缘强度;只有薄,才能保证控制灵敏度。生产中对栅氧化层的质量和厚度的要求十分严格。