分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数,不同杂质在s/sQ系统中的分凝系数是不相同的。如果ONET4201PARGTR假设硅中的杂质分布是均匀的,而且氧化气氛中又不含有任何杂质的条件下,则K(1意味着经热氧化之后,杂质在靠近⒏/Si02界面处的s02中的浓度高于靠近界面处s中的浓度。在界面处杂质由衬底s向欤为层内扩散,造成s侧界面处杂质浓度C低于衬底硅浓度G,相当于在界面处硅侧杂质的耗竭。属于这种类型的杂质有B(K:=0,3)、川(KN=0,1)。如果Κ>1,则经热氧化之后,杂质在靠近⒊塌Q界面处的s中的浓度高于靠近界面处廴【中的浓度。在s/s(先界面处杂质源于衬底s向sq层内扩散,但硅侧杂质浓度高于sQ,杂质倾向于在硅中扩散,造成在s/sC凡界面处硅内一侧堆积。

    属于这种类型的杂质有P(Ikˉp=10)、As“廴=10),⒍(Kj=20),但镓在so的扩散速率非常快,使分布情况变得更为复杂。

   硼在s/siC)2系统中的分凝系数随温度上升而增大,而且还与晶面取向有关,(100)面的分凝系数在0.1~1之间,在特殊情况下也可能大于1。少量的水汽就能对硼的分凝系数产生很大的影响.所以要严格控制氧化条件。当含有20ppm水汽时,干氧氧化的分凝系数接近湿氯值。如果在氧化过程中对干氧气氛没有特殊的干燥措施,这种情况下的分凝系数几乎和湿氧一样。图⒋23给出的是在各种不同氧化类型中,硼在硅中的分凝系数与温度的关系。图中的“接近十氧”是指没有经过特殊除 水处理的干氧氧化。

   分凝效应在芯片生产中如控制不当会产生不利影响,但也可用来调节表面浓度和方块电阻,给I艺控制增加了灵活性。