晶体中的缺陷是晶体内部存在应力的标志
发布时间:2017/5/7 16:50:30 访问次数:2382
晶体中的缺陷是晶体内部存在应力的标志。如在位GC5016-PB错中,额外的原子列或原子面插人之后,图19(a)中位错线AB周围原子的共价键分别被压缩、拉长或悬挂。集成电路工艺过程中能够诱导缺陷的应力主要有三种类型。其一,在硅晶体上有相当大的温度梯度存在,发生非均匀膨胀,在晶体内形成热塑性应力,诱导缺陷。其二,硅晶体中存在高浓度的替位杂质,而这些杂质原子半径和硅原子半径大小不同,即晶格失配,形成内部应力诱导缺陷。其三,硅晶体表面受到机械外力,如表面划伤,或受到其他原子的轰击等,外力向晶体中传递,诱导缺陷。
面缺陷和体缺陷
在晶体结构中,面缺陷主要是层错。如在晶体生长过程中,由于堆积排列次序发生错乱,形成的面缺陷称为堆垛层错,简称层错。层错是一种区域性的缺陷,在层错以外或以内的原子都是规则排列的,只是在两部分交界面处的原子排列才发生错乱,所以它是一种面缺陷。
为改变硅单晶电阻率而掺入晶体中的Ⅲ、Ⅴ族杂质(如硼、磷、砷等)在硅晶体中只能形成有限同溶体。当掺人的数量超过晶体可接受的浓度时,杂质将在晶体中沉积,形成体缺陷。晶体中的空隙也是一种体缺陷。另外,当晶体中点缺陷、线缺陷浓度较高时,也会因结团而产生体缺陷。
晶体中的缺陷是晶体内部存在应力的标志。如在位GC5016-PB错中,额外的原子列或原子面插人之后,图19(a)中位错线AB周围原子的共价键分别被压缩、拉长或悬挂。集成电路工艺过程中能够诱导缺陷的应力主要有三种类型。其一,在硅晶体上有相当大的温度梯度存在,发生非均匀膨胀,在晶体内形成热塑性应力,诱导缺陷。其二,硅晶体中存在高浓度的替位杂质,而这些杂质原子半径和硅原子半径大小不同,即晶格失配,形成内部应力诱导缺陷。其三,硅晶体表面受到机械外力,如表面划伤,或受到其他原子的轰击等,外力向晶体中传递,诱导缺陷。
面缺陷和体缺陷
在晶体结构中,面缺陷主要是层错。如在晶体生长过程中,由于堆积排列次序发生错乱,形成的面缺陷称为堆垛层错,简称层错。层错是一种区域性的缺陷,在层错以外或以内的原子都是规则排列的,只是在两部分交界面处的原子排列才发生错乱,所以它是一种面缺陷。
为改变硅单晶电阻率而掺入晶体中的Ⅲ、Ⅴ族杂质(如硼、磷、砷等)在硅晶体中只能形成有限同溶体。当掺人的数量超过晶体可接受的浓度时,杂质将在晶体中沉积,形成体缺陷。晶体中的空隙也是一种体缺陷。另外,当晶体中点缺陷、线缺陷浓度较高时,也会因结团而产生体缺陷。
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