随着大规模、超大规模集成电路的发展,电路图形的线宽越来越小,光刻工艺中的套准问题变得越来越重要。掩膜套准测试结构就是用来检测套准误差的。PAM3101DAB280套准误差的定量测量可以用光学方法,也可以用电学方法。

   工艺缺陷测量――随机缺陷测试结构

   采用电学测试方法确定与基本工艺结构相关的缺陷及其密度分布,并可由此预测成品率的测试结构叫做随机缺陷测试结构,有下面几种。

   (1)铝条连续性测试结构

   条状图形为铝条,其下面为氧化层和多晶硅的台阶,铝条的设计尺寸与跨越的台阶数尽量与实际电路工艺结构一致。这个测试结构的作用有:测得铝条电阻可作为铝条连续性的量度;与不跨越台阶的铝条电阻相比较,可考察铝条在台阶处的减薄情况,从而对光刻和回流工艺做出评价;其中包含两组有一定间隔的铝条,可用来考察其间的短路情况;如果采用两组相互垂直和十字交叉,但之间由介质层隔开的铝条或多晶硅条,则可以考察两导电层之间的层绝缘情况。

   (2)接触链测试结构

   模拟实际I艺,采用A卜⒊接触、多晶硅一掺杂层隐埋接触以及双层铝或多晶硅接触等多种形式,把各种导电层串接起来,构成接触链测试结构。可以考察有无断路、接触失效以及不同接触孔尺寸下的工艺成品率。既可以作为工艺诊断的工具,也可当做接触孔尺寸设计规则制定的判据。