晶体生长中,控制拉杆提拉速度和转速、坩埚温度及坩埚反向转速是很重要的,硅锭的K4H511638J-LCCC直径和生长速度与上述囚素有关。在坩埚温度、坩埚反向转速一定时,主要通过控制拉杆提拉速度来控制硅锭的生长。即籽晶熔接好后先快速提拉进行缩颈,再渐渐放慢提拉速度进行放肩至所需直径,最后等速拉出等径硅锭。

   停炉阶段应先降温,然后再停止通气,停止抽真空,停止通人冷却循环水,最后才能开炉取出单晶锭,这样可以避免单晶锭在较高温度就被暴露在空气中,带来氧化和污染。

   籽晶在拉单晶时是必不可少的种子,一方面,籽晶作为复制样本,可使拉制出的硅锭和籽品有相同的晶向;另一方面,籽晶是作为晶核,有较大晶核的存在可以减小熔体向晶体转化时必须克服的能垒(即界面势垒)。缩颈能终止拉单晶初期籽晶中的位错、表面划痕等缺陷,能终止籽晶与熔体连接处的缺陷向晶锭内延伸。如图23所示是缩颈作用示意图,籽晶缺陷延伸到只有2~3mm的颈部表面时就终止了。为保证拉制的硅锭晶格完整,可以进行多次缩颈。 图⒉3 缩颈作用示意图速冷却能阻止这些缺陷结团。点缺陷结团后多为螺位错,这些位错相对硅锭轴心呈漩涡状分布。