离子注人是离子被强电场加速后注入靶中,离子受靶原子阻止而停留其中,经退火后PA905C4成为具有电活性的杂质的一个非平衡的物理过程。注入离子在靶中分布的情况与注人离子的能量、性质和靶的具体情况等因素有关。下面首先分析离子进人靶时受到阻止作用的情况,得出在非晶靶时,注人离子所遵循的基本方程及计算离子分布的方法,然后讨论离子沿低指数晶向人射单晶靶时发生的沟道效应及其离子分布情况。

    与注入离子分布相关的几个概念

   像热扩散的杂质在衬底中具有一定的浓度分布一样,注人到靶中的杂质离子也具有一定的浓度分布形式。因为离子注人到半导体中的过程,实质上就是人射离子与半导体的原子核和电子不断发生碰撞的过程。当具有不同人射能量的杂质离子进入靶时,将与靶中的原子核和电子不断发生碰撞。在碰撞时,离子的运动方向将不断发生偏折,并不断失去能量,最后在靶中的某一点停止下来,因而离

子从进入靶起到停止点止将走过一条十分曲折的路径。如图⒍1所示是离子注人行程示意图,由图61(a)、(b)可见,由于人射粒子所具有的能量不同,在进入靶材料内所形成的路径也存在差异.