电路约270O0个元件,存储单元用多晶硅做PBL38620/1R1负载,外围电路用耗尽型M(E管做负载,采用标准5um硅栅等平面工艺,芯片尺寸为3.3rruu×4.8m,在7511ull的硅片上对称插人5个测试图形。

   微电子测试图形的特点:主要测试点排列在测试图形外围,18个主要测试点与电路芯片一样,可使用相同的固定探针卡;每个电路芯片旁,放置了多晶硅负载电阻的测试结构,用于检测整个硅片上电阻的均匀性,以及由于光刻套偏时,浓掺杂的n+源漏横向扩散对多晶电阻值的影响,弥补了插人式测试图形采集数据的不足;除含有薄层电阻、电容、晶体管(土曾强和耗尽)、CD尺寸等常规测试结构外,特别针对存储器电路工艺结构的特点,设计了几组随机缺陷测试结构。

   本章介绍了3种工艺监控方法:实时监控、工艺检测片和集成结构测试图形。实时监控,是先进的工艺监控方法,有全自动特点。工艺检测片方法是对具体工艺环节的检测片进行工艺参数测试从而实现工艺监控的方法,阐述了主要单项工艺:氧化、光刻、扩散、离子注入、外延及硅衬底各检测片的检测内容和检测方法。集成结构检测图形是通过对共片式检测结构图形进行检测从而实现工艺监控的方法,介绍了集成结构图形方式、功能,以及常用的结构图形。